第83章 大丰收-第3/7页

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        甚至,这些天他也在考虑要不要出厂时每部手机赠送一块内存卡。

        没想到现在系统竟然给了他一份TF内存卡的生产图纸,这难道是在预示着让尼采进军TF内存卡界?

        自产自销?

        倒也不是不可以。

        略微感慨的笑了笑,不过等他看到第二个奖励时,有些懵了。

        首先。

        3D-NAND是什么?

        莫燃也没着急,随即退出系统在网络上搜索了一下。

        原来。

        3D-NAND是一种新兴的闪存类型(存储类型)。

        传统的内存卡大多是使用2D-NAND的方式,也就是通过2D平面的方式将内存颗粒有序排列,最终制造生产成为一张张比如2GB、4GB、8GB的内存卡。

        2D平面结构的设计导致空间比较小,内存卡的储存容量也就相应比较小,经过这么多年研发后2D-NAND方案已经基本达到了扩展极限。

        而3D-NAND则不同了。

        简单的说。

        3D-NAND是一种全新的闪存设计理念,将以前的2D平面设计变成3D设计,从而可以在平面上不断的增加层数、增加内存晶片的数量,从而制造出更大容量的内存卡。

        就好比以前的2D是一栋栋小平房,

        现在的3D则是在小平房上盖起三四十楼的高楼大厦一样,储存的容量加大,读写速度加快、耐用性大幅度提高,甚至,每千兆字节的成本也大幅下降。

        最令莫燃惊喜的是,

        放眼全球,

        “3D-NAND”闪存设计也就仅仅只有三星电子、英特尔和全球最大的半导体储存制造商——镁光有一点点成果!

        而国内!

        “3D-NAND”新一代闪存芯片完全是一片空白!

        可以说,

        如果第一个奖励是让尼采公司可以利用生产图纸生产一款“U3高速读写的TF卡”。

        那么,第二个奖励,

        无疑是让尼采获得了全球最新“3D-NAND”闪存下的“Cjiang架构专利技术”。

        接下来,尼采完全可以组建研发团队,利用“Cjiang架构”大力研发出更多3D-NAND的新兴储存产品!

        比如TF内存卡、比如U盘,比如固态硬盘!

        甚至。

        完全可能成为镁光、三星、西部数码这些大型国际厂商的竞争对手,弥补国产厂家在内存卡、固态硬盘上长期的空白!

        这是拿到了内存芯片行业的入场券了呀。……
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